揚(yáng)州欣達(dá)電子有限公司

制作矩形雙面超導(dǎo)薄膜時(shí)所需的主干結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示，薄膜的中間為基底層，分布在基底層的兩側(cè)依序?yàn)槌瑢?dǎo)層和外部的金屬層（一般為金層），這種結(jié)構(gòu)在設(shè)計(jì)和使用上具有Ｗ下幾項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。

（１）基底層的雙面均可Ｗ生長超導(dǎo)層，減小成本，降低裝置的重量。

（２）同時(shí)還可Ｗ減少基底層的用量，再次減少部分成本。

（３）方便優(yōu)化薄膜表面的磁場和電場，減少載流消耗。

（４）雙面薄膜失超時(shí)，由于超導(dǎo)層所共同擁有的基底層相互傳導(dǎo)熱量，可提高失超傳播速度，平衡基底層兩面的失超同步性。